深圳市华谛诚电子有限公司

型号：IXFN32N120P 品牌：IXYS 封装：SOT-227 年份：23+ 参数：32A1200V IXFN56N90P参数列表搜索代替器件 技术参数 极性N-CH 耗散功率830 W 阈值电压6.5 V 漏源极电压(Vds)1200 V 连续漏极电流(Ids)32A 上升时间62 ns 输入电容(Ciss)21000pF @25V(Vds) 下降时间48 ns 工作温度(Max)150 ℃ 工作温度(Min)-55 ℃ 耗散功率(Max)1000W (Tc) 封装参数 安装方式Chassis 引脚数4 封装SOT-227-4 外形尺寸 封装SOT-227-4 物理参数 工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ) 其他 产品生命周期Active 包装方式Tube 符合标准 RoHS标准RoHS Compliant 含铅标准Lead Free