原装充电芯片TP4066H输入OVP单节锂电IC带有散热片的 ESOP8/DFN2*2-8 封装，充电芯片TP4066H由于采用了内部PMOSFET 架构，加上防倒充电路，所以不需要外部隔离二极管。热反馈可对充电电流进行自动调节，以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充电芯片TP4066H充满电压可分为三档：4.35V，4.2V，3.7V。而充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。
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