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区熔硅片大多是本征型,不掺杂的高阻片,电阻率大于>1000欧姆-厘米。区熔硅片由于在长晶的过程中没有跟石英坩埚接触,硅材料处于悬浮状态,因此长晶过程中受污染少。碳含量和氧含量更低,杂质更少,电阻率更高,适用于功率器件和某些耐高压电子器件的制造。
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