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NandFlash在工艺制程方面分有三种类型:SLC、MLC、TLC。
NandFlash技术Flash Memory具有以下特点:以页为单位进行读和编程操作,以块为单位进行擦除操作;具有快编程和快擦除的功能,其块擦除时间是2ms,而NOR技术的块擦除时间达到几百ms;芯片尺寸小,引脚少,是位成本(bit cost)低的固态存储器;芯片包含有坏块,其数目取决于存储器密度。坏块不会影响有效块的性能,但设计者需要有一套的坏块管理策略!
对比Parallel NorFalsh,NandFlash在擦除、读写方面,速度快,使用擦写次数更多,并且它强调更高的性能,低成本,更小的体积,更大的容量,更长的使用寿命。这使NandFlash很擅于存储纯资料或数据等,在嵌入式系统中用来支持文件系统。其主要用来数据存储,大部分的U盘都是使用 NandFlash,当前NandFlash在嵌入式产品中应用仍然极为广泛,因此坏块管理、掉电保护等措施就需要依赖NandFlash使用厂家通过软件进行完善。
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