深圳市凯特瑞科技有限公司

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广东MTFC64GAKAEYF-4MIT，原装64G NAND MTFC64GAKAEYF-4M IT存储芯片 e.MMC MLC NAND闪存64 GB容量 2.7V至3.6V供电电压 封装：153-Ball LFBGA MTFC64GAKAEYF-4M存储芯片是用来存储程序和数据的部件，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。主存储芯片又称内存储器（简称内存，或称记忆体）。 DRAM就是我们一般在用的内存，而NAND Flash 闪存，它在做的事情其实是硬盘。 易失性存储器（VM）：电源开启时资料存在，电源关闭则资料立刻流失（资料挥发掉），例如：SRAM、DRAM、SDRAM、DDR-SDRAM 等。 非易失性存储器（NVM）：电源开启时资料存在，电源关闭资料仍然可以保留，例如：ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROM、FRAM、MRAM、RRAM、PCRAM 等。 静态随机存取存储器（SRAM） 以 6 个晶体管（MOS）来储存 1 个位（1bit）的资料，而且使用时“不需要”周期性地补充电源来保持记忆的内容，故称为“静态”（Static）。 动态随机存取存储器（DRAM） 以一个晶体管（MOS）加上一个电容（Capacitor）来储存一个位（1bit）的资料，而且使用时“需要”周期性地补充电源来保持记忆的内容，故称为“动态”（Dyc）。 同步动态随机存取存储器（SDRAM） CPU与主机板上的主存储器（SDRAM）存取资料时的“工作时脉”（Clock）相同，故称为“同步”（Synchronous）。 SRAM 比较快、 DRAM 比较慢；SRAM 比较贵、DRAM 比较便宜。 Flash（闪存）由于具备了重量轻、体积小、功率低等优点，被应用在各类电子产品的硬盘上。Flash 又可以分成 NOR 型 Flash 和 NAND 型 Flash。 NOR Flash 比 NAND Flash 更早导入市场。读取的速度较快，但写入的速度慢、价格也比 NAND Flash 贵。

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