三星拟提前量产48层V-NAND Q3盼刷新纪录

时间：2015-08-10 17:53:07 来源：行业中国 阅读量：74

三星 电子 (SamsungElectronics)对 半导体 攻击性投资,最快第3季内将可推出三代48层堆叠的V-NAND存储器。这将成为大幅提升成本竞争力的契机。

三星半导体部门第2季睽违5年,打平营业利益3.4兆韩元(约29亿美元)纪录,第3季将挑战刷新纪录。 据韩国Edaily报导,三星目前已完成32层堆叠第二代V-NAND的研发作业,计划第3季推出48层堆叠第三代V-NAND产品后,于2016年生产64层堆叠的V-NAND产品。

三星存储器事业部专务白志镐(音译)在发表第2季财报时表示,最晚10月将推出第三代V-NAND。V-NAND的优势为高信赖性、大容量、高性能,以此为基础,可提升高阶产品需求,成本竞争力也较其他产品高。

DRAM市场上存在PCDRAM价格下滑的疑虑,全球DRAM制造厂已降低PCDRAM的出货量,并提高移动DRAM和服务器DAM比重。苹果(Apple)iPhone6S和三星GalaxyNote5等高阶智能型手机搭载的LPDDR4和固态硬碟(SSD)用TLC3DNAND产品已迈入大众化阶段,将出现爆炸性需求。

韩国业者透露,目前存储器 芯片 市场的不安感尚未解除,但三星将透过扩大20纳米DRAM和V-NAND及10纳米级NAND的比重,大幅改善获利性,三星可望持续独大存储器芯片市场。韩国证券业界推估,三星第3季半导体部门营业利益可较第2季的3.4兆韩元增加10%以上。

三星的先导投资,也让业绩展望更乐观。第2季三星对半导体事业投资3.2兆韩元,2015年对半导体领域的投资规模,将超过14兆韩元。

三星2014年率先量产20纳米DDR4DRAM和3DNAND,巩固全球一哥地位。 三星第2季整体营业利益6.9兆韩元中,半导体事业的营业利益占5成以上。

半导体事业营益率也较第1季的28.6%增加1.5个百分点,为30.1%。 第2季为半导体传统淡季,然三星DRAM20纳米制程比重提高到30%,NAND价格也维持稳定,系统LSI的营收季增逾50%,转亏为盈,带动半导体事业的获利性攀升。

韩国业者指出,三星考虑8月透过公开新品GalaxyNote5和GalaxyS6EdgePlus提振原地踏步的IM部门业绩,但是否可顺利达成目标,目前仍不透明,三星第3季的业绩可能仍须由半导体带动。