Ramtron不再一家独大--富士通正式进军铁电存储器市场

时间：2015-05-23 00:03:30 来源：TC104 阅读量：109

铁电存储器（FRAM）产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行接口，工业标准的封装类型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。

FRAM 提供一种与RAM一致的性能,但又有与ROM 一样的非易失性。 FRAM 克服以上二种记忆体的缺陷并合并它们的优点，它是全新创造的产品，一个非易失性随机存取储存器。
这些令人振奋的发展使FRAM在人们日常生活的各个领域找到了应用的途径。从办公复印机、高档服务器到汽车安全气囊和娱乐设备， FRAM 使一系列产品的性能得到改进并在全世界范围内得到广泛的应用。

很多用过铁电的人都知道，一直以来Ramtron公司就是铁电的代名词，作为未来存储发展趋势的铁电，只有Ramtron一家对存储这个市场来说是不健康的，没有竞争的市场是不利于技术的发展，日本富士通公司致力于铁电存储器的技术研发和生产，此举打破了Ramtron在铁电领域一家独大的历史，对市场来说是十分利好的消息！！

目前富士通的铁电存储器已经正式批量生产，并且都有相对应的型号与Ramtron替换，价格很有竞争力，从富士通代理商上海本宏电子科技有限公司可以申请免费样品以便测试！！

目前富士通开始销售的FRAM型号如下：
MB85RC64: 64Kb, 2.7~3.6V, I2C 接口, 直接替换FM24CL64
MB85RC128: 128Kb, 2.7~3.6V, I2C 接口, Ramtron没有128Kb的MB85RS256: 256Kb, 2.7~3.6V, SPI 接口, 直接与FM25CL256替换MB85R256H: 256Kb, 2.7~3.6V, 并行 接口, 直接与FM18L08替换
MB85R1001：1Mb, 3.0 V - 3.6 V, 并行 接口, 128k x 8, 可替换FM20L08MB85R1002：1Mb, 3.0 V - 3.6 V, 并行 接口, 64k x 16MB85R2001：2Mb, 3.0 V - 3.6 V, 并行 接口，256k x 8, 可替换FM21L16MB85R2002：2Mb, 3.0 V - 3.6 V, 并行 接口，128k x 16

以上来自：上海本宏电子科技有限公司 周本亮(销售工程师；直线：021-54997750；138 1722 1825，Email:zhoubenliang@hobos.com.cn; QQ：539570524)